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1100nm光纖耦合激光二極管(200mW) 產(chǎn)品總覽 光纖耦合激光器是一種將激光束通過光纖傳輸?shù)募す庠O(shè)備，廣泛應(yīng)用于通訊、醫(yī)療、工業(yè)加工等領(lǐng)域。其核心優(yōu)勢在于能夠高效地將激光光束耦合進(jìn)入光纖，從而實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的能量傳輸和高效的能量輸出。

974nm 420mw 單模泵浦激光器 產(chǎn)品總覽 Lumentum(前身JDSU) 980nm單模泵浦激光器廣泛應(yīng)用于光放大器與光纖激光器領(lǐng)域。輸出光功率范圍由90mW至950mW，采用光纖光柵穩(wěn)頻技術(shù)使泵浦激光器具有更高的波長穩(wěn)定性，同時(shí)使得激光器可有效減小驅(qū)動(dòng)電流、溫度與光反饋相關(guān)因素的波長穩(wěn)定性。系列產(chǎn)品符合Telcordia GR-468可靠性要求。

795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。

795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。

795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。