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產(chǎn)品中心光電探測(cè)器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSbInAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷
PVAS-5-0.1 0.1-TO39-NW-90是II型超晶格非冷卻紅外光電探測(cè)器，具有優(yōu)良的參數(shù)。該探測(cè)器不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 光譜范圍為1.6 ~ 6.2 μm
● 高響應(yīng)度
● 好的線性度
● 不需要偏置
● 無1/f噪聲
產(chǎn)品應(yīng)用
● 中紅外激光探測(cè)
● 中紅外氣體分析
技術(shù)參數(shù)
測(cè)試條件：Ta=20℃，Vb=0mV
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) |
PVAS-5-0.1X0.1-TO39-NW-90 | |
有源元件材料 | 外延超晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
起始波長(zhǎng)λcut-on (10%), μm | 1.6±0.2 |
峰值波長(zhǎng)λpeak, μm | 4.2±0.3 |
截止波長(zhǎng)λcut-off (10%), μm | 6.2±0.2 |
探測(cè)效率D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ~1.2×109 |
電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W | ~1.2 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ~11 |
電阻R,Ω | ~170 |
工作溫度Tdet,K | ～230 |
感光面尺寸A,mm×mm | 0.1×0.1 |
包裝 | TO39 |
接收角Φ | ～90° |
窗口 | none |
20℃探測(cè)器的光譜響應(yīng)曲線
輸入功率與輸出電流線性度曲線（TBB—黑體溫度）
封裝及尺寸
TO39型封裝及尺寸
TO39-引腳定義
引腳定義 | |
功能 | 引腳號(hào) |
探測(cè)器 | 1（-）,2（+） |
接地 | 3 |
備注：使用和儲(chǔ)存注意事項(xiàng)
1、工作環(huán)境濕度為10% ~ 80%，環(huán)境溫度為-20℃~ 30℃。
2、功率限制：連續(xù)波或單脈沖輻照度大于1 μs時(shí)，對(duì)視光學(xué)有源區(qū)域的輻照度不得超過100 W/cm2；小于1 μs的脈沖輻照度不能超過1 MW/cm2。
3、儲(chǔ)存于濕度為10%至90%，環(huán)境溫度為-20℃至50℃的黑暗處。
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷
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